专利概述
专利名称
一种p-AlN/i-AlN/n-ZnO结构
专利介绍
本实用新型公开了p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构，本实用新型制备得到的p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构具有结构简单、光电性能好等特点，制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点。
专利详情
本实用新型公开了p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构，包括由下至上依次排列的衬底、p‑AlN层、i‑AlN层和n‑ZnO层；本实用新型还公开了上述p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构的制备及应用；本实用新型制备得到的p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构具有结构简单、光电性能好等特点，制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点。
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