专利概述
专利名称
一种氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法
专利介绍
本发明提供的氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法通过在衬底上生长出结构稳定、比表面积较高的氧化钨纳米花结构体，制备得到电学数据稳定、室温下响应灵敏度高的氢气传感器，且其制备方法简单、成本低廉。
专利详情
本发明提供一种氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法，包括以下步骤：(1)在衬底上生长出氧化钨纳米线，且钨粉贴附在其表面上；(2)将衬底上的钨粉生长为氧化钨纳米花结构体；(3)将衬底加热退火后，在氧化钨纳米花结构体上掺杂贵金属，得到氢气传感器敏感材料；(4)在氢气传感器敏感材料两端制备电极，再引线封装，得到氧化钨纳米花氢气传感器。
联系电话
4009962228 0755-22674851
