专利概述
专利名称
一种量子点敏化纳米ZnO薄膜太阳电池的制备方法
专利介绍
本发明具有材料来源丰富，提高量子点在表面的吸附率，减少载流子在界面复合等优点，可有效提高敏化ZnO纳米薄膜太阳电池效率。
专利详情
本发明公开了一种量子点敏化纳米ZnO薄膜太阳电池的制备方法，通过水热法首先制备出阵列ZnO纳米棒薄膜结构，然后通过化学反应制备ZnO/CdS核壳结构，通过优化CdTe量子点的生长工艺实现能带的调控，并实现CdTe量子点在ZnO/CdS核壳结构光电极表面的高效吸附，实现具有梯度带隙异质结的光电极。最后，采用Pt电极作为对电极，在光电极和对电极之间加入氧化-还原电解质形成电池。
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