专利概述
专利名称
一种雪崩光电二极管
专利介绍
本实用新型公开了一种雪崩光电二极管，包括由上至下依次排列的N型重掺杂层、倍增层单晶衬底、金属键合层、吸收层InGaAs单晶衬底、P型重掺杂InGaAs层，通过金属键合层将倍增层单晶衬底和吸收层InGaAs单晶衬底键合在一起，无需进行外延，简化了雪崩光电二极管的结构，极大地缩短了生产时间，
专利详情
有利于大幅度降低生产成本，同时金属键合层可以有效提高电荷的均匀分布，降低电子进入倍增层势垒，提高器件的性能。
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